IPB12CN10N G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB12CN10N G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 67A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4320 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 67A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB12C |
IPB12CN10N G Einzelheiten PDF [English] | IPB12CN10N G PDF - EN.pdf |
IPB123N10N3G I
IPB123N10N3 G Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
IPB12CNE8NG VB
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
IPB12CN10LG INF
N-CHANNEL POWER MOSFET
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK
VBSEMI PG-TO263-3
IPB123N10N3 Infineon
IPB136N08N3G INFINEON
IPB12CN10NG INFINEON
IPB136N08N3 Infineon
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPB12CN10N GInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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